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| Image | Part # | Manufacturer | Description | Availability | Pricing | Quantity | Factory Lead Time | Mounting type | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Supplier Device Package | Material | Weight | Number of Terminals | Transistor Element Material | Terminal Material | Exterior Housing Material | Cable Cross Section | Cable cross-section | Cable type | Cable Type | Characteristic | Compatible parts | Date Of Intro | Diagonal | Drain Current-Max (ID) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | Feature | Gross weight | Gross Weight | Ihs Manufacturer | Interaxial distance | Life span | Load - Max Switching | Long term frequency stability (aging) | Maximum coverage diameter | Maximum current | Maximum Current | Maximum grip size | Metal thickness | Mfr | Name | Nominal voltage | Nominal Voltage | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Package | Package Body Material | Package Description | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Power Dissipation (Max) | Purpose | Rohs Code | Standard Number | Surface hardness | Temperature stability | Transition Frequency-Nom (fT) | Transmittance coefficient (transparency) | Transport package size/quantity | Transport packaging size/quantity | Transport Packaging Size/Quantity | Turn-off Time-Max (toff) | Turn-on Time-Max (ton) | Working load | Working temperature | Operating Temperature | Packaging | Series | Size / Dimension | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | ECCN Code | Connector type | Connector Type | Type | Resistance | Terminal Finish | Color | Applications | Power (Watts) | Additional Feature | HTS Code | Capacitance | Voltage - Supply | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Depth | Reach Compliance Code | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Frequency stability | Output | Pin Count | Reference Standard | Termination Style | JESD-30 Code | Current - Supply (Max) | Number of Outputs | Qualification Status | Approval Agency | Efficiency | Voltage - Isolation | Output Type | Working voltage | Configuration | Insulation resistance | Number of Channels | Polarization | Contact Tail Size | Operating Mode | Voltage - Forward (Vf) (Typ) | Case Connection | Response time | Response Time | Contact Form | FET Type | Transistor Application | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | Current - Output 1 | Relay Type | Drain to Source Voltage (Vdss) | Vgs (Max) | Polarity/Channel Type | Operating temperature range | Coil Voltage | Coil Type | Switching Voltage | JEDEC-95 Code | Coil Current | Sensor Type | Must Operate Voltage | Contact Rating (Current) | Linearity | Minimum Load Required | Drain-source On Resistance-Max | Must Release Voltage | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | DS Breakdown Voltage-Min | Current - DC Forward (If) (Max) | Avalanche Energy Rating (Eas) | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Number of Macro Cells | T-code | Output Peak Current Limit-Nom | Collector Current-Max (IC) | DC Current Gain-Min (hFE) | For Measuring | Current - Cathode | Turn Off Time | Coil Insulation | Feedback Cap-Max (Crss) | Static dV/dt (Min) | Delay Time - Propagation | Profile | Number of sections | Saturation Current | Features | Diameter | Height | Length | Width | Thickness |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. Part #SI7117DN-T1-GE3Twicea Part #534-375-SI7117DN-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 150V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
Datasheet
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| 68532
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | YES | - | - | - | 5 | SILICON | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.1 A | - | - | - | - | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | - | - | UNSPECIFIED | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8 | SQUARE | SMALL OUTLINE | Active | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | - | - | EAR99 | - | - | - | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | C BEND | 260 | - | compliant | - | 30 | - | - | - | - | - | S-XDSO-C5 | - | - | Not Qualified | - | - | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | DRAIN | - | - | - | - | SWITCHING | - | - | - | - | - | - | - | - | P-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.3 Ω | - | 2.2 A | 150 V | - | 1.01 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 12.5 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | |
| SI7117DN-T1-GE3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Part #IRF9640PBFTwicea Part #534-375-IRF9640PBF | Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Datasheet
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| 210500
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | 17 Weeks, 3 Days | - | - | - | NO | - | - | - | 3 | SILICON | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 11 A | - | - | - | - | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | -55 °C | - | PLASTIC/EPOXY | - | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Active | TO-220AB | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | Yes | - | EAR99 | - | - | - | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | AVALANCHE RATED | - | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | 260 | - | not_compliant | - | 30 | - | - | 3 | - | - | R-PSFM-T3 | - | - | Not Qualified | - | - | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | DRAIN | - | - | - | - | SWITCHING | - | - | - | - | - | - | - | - | P-CHANNEL | - | - | - | - | TO-220AB | - | - | - | - | - | - | 0.5 Ω | - | 44 A | 200 V | - | 700 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 125 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| IRF9640PBF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #BC856BTTwicea Part #16059-375-BC856BT | Philips Semiconductors |
Transistor
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | YES | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | PHILIPS SEMICONDUCTORS | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | - | - | - | , | - | - | Transferred | - | - | - | Yes | - | - | - | 100 MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | - | - | EAR99 | - | - | - | - | MATTE TIN | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 260 | - | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | PNP | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.15 W | - | - | - | 0.1 A | 220 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BC856BT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #SI7129DN-T1-GE3Twicea Part #534-375-SI7129DN-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8
Datasheet
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| 12000
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | YES | - | - | - | 5 | SILICON | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 35 A | - | - | - | - | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | - | - | UNSPECIFIED | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8 | SQUARE | SMALL OUTLINE | Active | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | - | - | EAR99 | - | - | - | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | C BEND | 260 | - | not_compliant | - | 40 | - | - | - | - | - | S-XDSO-C5 | - | - | Not Qualified | - | - | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | DRAIN | - | - | - | - | SWITCHING | - | - | - | - | - | - | - | - | P-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.0114 Ω | - | 60 A | 30 V | - | 31.25 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 52.1 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | |
| SI7129DN-T1-GE3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #BC860CTwicea Part #16059-375-BC860C | Philips Semiconductors |
Transistor
Datasheet
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| 2
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | YES | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | PHILIPS SEMICONDUCTORS | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | - | - | - | - | - | - | Transferred | - | - | - | Yes | - | - | - | 100 MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | - | - | EAR99 | - | - | - | - | MATTE TIN | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 260 | - | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | PNP | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.3 W | - | - | - | 0.1 A | 420 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| BC860C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRF7413ZTRPBFTwicea Part #3717-375-IRF7413ZTRPBF | International Rectifier |
Description: Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Datasheet
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| 100
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | YES | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 13 A | - | - | - | - | INTERNATIONAL RECTIFIER CORP | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | - | - | - | , | - | - | Transferred | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | Yes | - | EAR99 | - | - | - | - | MATTE TIN | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 260 | - | unknown | - | 30 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 2.5 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | |
| IRF7413ZTRPBF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRF8707GTRPBFTwicea Part #3717-375-IRF8707GTRPBF | International Rectifier |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | YES | - | carbon steel | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 11 A | - | - | 21.86 | - | INTERNATIONAL RECTIFIER CORP | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Worm clamp with cross slot | - | - | 150 °C | - | - | - | - | - | - | Transferred | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | 42*32*47/700 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | Worm clamp with cross slot | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 2.5 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | min = 59 | - | - | 12 | 0.6 mm | ||
| IRF8707GTRPBF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #SQJ868EP-T1_GE3Twicea Part #534-375-SQJ868EP-T1_GE3 | Vishay Intertechnologies |
Description: Power Field-Effect Transistor,
Datasheet
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| 3000
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | 20 Weeks | - | - | - | YES | - | - | - | 4 | SILICON | - | 1 | - | - | - | - | - | - | 2016-07-19 | - | 58 A | - | - | - | - | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 175 °C | -55 °C | - | PLASTIC/EPOXY | , | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Active | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | 52 ns | 29 ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | GULL WING | NOT SPECIFIED | - | unknown | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | AEC-Q101 | - | R-PSSO-G4 | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | DRAIN | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.00735 Ω | - | 230 A | 40 V | - | 61 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 48 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 140 pF | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| SQJ868EP-T1_GE3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Part #FDD6296Twicea Part #699-375-FDD6296 | Rochester Electronics LLC |
15A, 30V, 0.0088ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Through Hole | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | YES | 4-DIP | - | - | 2 | SILICON | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 15 A | - | - | - | - | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | PLASTIC/EPOXY | DPAK-3 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Active | TO-252 | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C ~ 100°C | Tube | WL-OCTR | - | e3 | Yes | Active | - | - | - | - | - | MATTE TIN | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | GULL WING | 260 | - | unknown | - | 30 | - | - | 3 | - | - | R-PSSO-G2 | - | - | COMMERCIAL | CQC, cULus, cURus, UL, VDE | - | 5000Vrms | Triac | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | 1 | - | 10mA | ENHANCEMENT MODE | 1.24V | DRAIN | - | - | - | - | SWITCHING | - | - | - | - | - | - | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | TO-252 | - | - | - | - | - | - | 0.0088 Ω | - | 100 A | 30 V | 60 mA | 165 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | No | - | - | - | - | - | 257µA (Typ) | - | - | - | 1kV/µs | 400 V | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | ||
| FDD6296 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #SI4058DY-T1-GE3Twicea Part #534-375-SI4058DY-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies |
Small Signal Field-Effect Transistor,
Datasheet
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| 370
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | 28 Weeks | - | Chassis Mount | - | YES | - | nickel-plated stainless steel of 201 series | 2.42 | 8 | SILICON | 48V | 1 | - | - | - | - | - | - | 2016-07-19 | - | 10.3 A | - | - | - | - | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | L = 22 mm | - | - | - | - | - | - | C = 8 mm | S = 0.6 mm | Traco Power | - | - | - | 150 °C | -55 °C | - | PLASTIC/EPOXY | MS-012, SOP-8 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Active | - | - | for fixing cables and pipes of circular section | Yes | 62368-1 | - | - | - | - | 42*28*23.5/8000 | - | - | - | - | - | - | -20°C ~ 70°C | Box | TXO 60 (60W) | 3.00" L x 2.00" W x 0.95" H (76.2mm x 50.8mm x 24.1mm) | e3 | - | Active | EAR99 | - | - | Open Frame | - | MATTE TIN | - | ITE (Commercial) | 60W | - | - | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | compliant | - | 30 | - | - | - | - | - | R-PDSO-G8 | - | 1 | - | CB, CE, cURus, UKCA | 85% | 3 kV | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | - | - | - | - | SWITCHING | - | - | - | - | 1.25 A | - | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | MS-012AA | - | - | - | - | - | No | 0.026 Ω | - | - | 100 V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 5.6 W | - | - | 85 ~ 264 VAC | - | - | - | - | - | - | 11 pF | - | - | - | 1 | 1 | Universal Input | mounting hole (A) - 4 mm | - | - | (W) - 12 mm | - | |
| SI4058DY-T1-GE3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRFR320TRPBFTwicea Part #534-375-IRFR320TRPBF | Vishay Intertechnologies |
Description: Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
Datasheet
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| 8000
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | 16 Weeks, 5 Days | - | - | - | YES | - | - | - | 2 | SILICON | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 3.1 A | - | - | - | - | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | - | - | PLASTIC/EPOXY | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Active | TO-252AA | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | Yes | - | EAR99 | - | - | - | - | Matte Tin (Sn) - annealed | - | - | - | AVALANCHE RATED | - | - | - | SINGLE | GULL WING | 260 | - | compliant | - | 30 | - | - | 3 | - | - | R-PSSO-G2 | - | - | Not Qualified | - | - | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | DRAIN | - | - | - | - | SWITCHING | - | - | - | - | - | - | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | TO-252AA | - | - | - | - | - | - | 1.8 Ω | - | 12 A | 400 V | - | 160 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 42 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | |
| IRFR320TRPBF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #SQ2362ES-T1_GE3Twicea Part #534-375-SQ2362ES-T1_GE3 | Vishay Intertechnologies |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
Datasheet
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| 3000
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | 16 Weeks, 4 Days | - | - | - | YES | - | connector housing - PVC-45P | - | 3 | SILICON | - | 1 | - | 2 x 0.75 mm2 | RUICHI 2-pin straight power cord | - | - | - | - | - | 4.3 A | - | - | 69.67 | - | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | - | - | - | - | - | 2 A | - | - | - | - | - | 250 V | - | 175 °C | -55 °C | - | PLASTIC/EPOXY | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | End Of Life | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | 48*32*27/300 | - | 51 ns | 40 ns | - | - | - | - | - | - | e3 | - | - | EAR99 | plug CEE7/16 - socket IEC C7 (Female) | - | - | - | Matte Tin (Sn) | black | - | - | - | - | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | compliant | - | 30 | - | - | - | AEC-Q101 | - | R-PDSO-G3 | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | TO-236AB | - | - | - | - | - | - | 0.068 Ω | - | 17 A | 60 V | - | 7 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 26 pF | - | - | - | - | 1 | - | - | - | 1800 mm | - | - | |
| SQ2362ES-T1_GE3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #BC847BVTwicea Part #16059-375-BC847BV | Philips Semiconductors |
Transistor
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | connector housing - PVC-45P | - | - | - | - | - | 3 x 1.5 mm2 | - | - | 3-pole straight-angled power cord | - | - | - | - | - | - | - | - | 407.70 | PHILIPS SEMICONDUCTORS | - | - | - | - | - | - | 16 A | - | - | - | - | - | 250 V | - | - | - | - | , | - | - | Transferred | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | 48*31.5*22/40 | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | - | - | EAR99 | - | IEC C19 socket (F) - Schuko plug (M) | - | - | MATTE TIN | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 260 | - | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3000 mm | - | - | ||
| BC847BV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #BC847BVTwicea Part #16045-375-BC847BV | Secos Corporation |
Description: Transistor
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SECOS CORP | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BC847BV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Part #C3M0065090JTwicea Part #18518-375-C3M0065090J | Wolfspeed |
MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
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| 1999
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | YES | 8-SOIC | - | - | 7 | SILICON CARBIDE | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 35 A | - | - | - | - | WOLFSPEED INC | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Allegro MicroSystems | - | - | - | - | - | - | PLASTIC/EPOXY | D2PAK-7 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Active | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C ~ 125°C | Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel® | XtremeSense™ | - | - | Yes | Active | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4.75V ~ 5.5V | SINGLE | GULL WING | NOT SPECIFIED | - | not_compliant | DC ~ 1MHz | NOT SPECIFIED | - | Analog Voltage | - | - | - | R-PSSO-G7 | 9mA | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | 1 | Bidirectional | - | ENHANCEMENT MODE | - | DRAIN | - | 300ns | - | - | SWITCHING | - | - | - | - | - | - | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | Magnetoresistive | - | - | ±0.3% | - | 0.078 Ω | - | 90 A | 900 V | - | 110 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | DC | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| C3M0065090J | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #NX3008NBKWTwicea Part #554-375-NX3008NBKW | Nexperia |
Small Signal Field-Effect Transistor
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| 3000
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Through Hole | - | YES | - | black polyethylene | - | 3 | SILICON | - | 1 | - | - | - | - | - | plastic ties up to 9 mm wide | 2017-02-01 | - | 0.35 A | - | tie width hole - 9.2 mm | 1.41 | - | NEXPERIA | - | - | 11080VA | - | - | - | - | - | - | Littelfuse Inc. | - | - | - | 150 °C | -50 °C | - | PLASTIC/EPOXY | SC-70, 3 PIN | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Active | - | - | for securing wires and cables | Yes | - | - | - | - | - | - | 48*31.5*27/7500 | - | - | - | - | - | -40°C ~ 85°C | Bulk | EVR | - | e3 | - | Active | EAR99 | - | - | Plastic cable clip from the STM series | - | TIN | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | 29 mm | compliant | - | 30 | - | - | - | AEC-Q101; IEC-60134 | PC Pin | R-PDSO-G3 | - | - | - | CQC, cURus, IEC, TUV | - | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | - | - | DPST-NO (2 Form A) | - | SWITCHING | - | - | - | - | - | General Purpose | - | - | N-CHANNEL | - | 24VDC | Non Latching | 277VAC - Max | - | 78.3 mA | - | 18 VDC | 40 A | - | - | 1.4 Ω | 1.2 VDC | - | 30 V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | 306.4 Ohms | Class F | - | - | - | Silver Tin Oxide (AgSnO) | - | 1 | - | mounting hole - 5 mm | - | - | 15 mm | - | |
| NX3008NBKW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #SUM110P06-07L-E3Twicea Part #534-375-SUM110P06-07L-E3 | Vishay Intertechnologies |
Description: Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0069ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN
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| 18990
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks, 4 Days | - | - | - | YES | - | - | - | 2 | SILICON | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 110 A | - | - | - | - | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 175 °C | - | - | PLASTIC/EPOXY | ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Active | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | - | - | EAR99 | - | - | - | - | Matte Tin (Sn) - annealed | - | - | - | - | 8541.29.00.95 | - | - | SINGLE | GULL WING | 260 | - | compliant | - | 30 | - | - | - | - | - | R-PSSO-G2 | - | - | Not Qualified | - | - | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | - | - | - | - | SWITCHING | - | - | - | - | - | - | - | - | P-CHANNEL | - | - | - | - | TO-263AB | - | - | - | - | - | - | 0.0069 Ω | - | 240 A | 60 V | - | 281 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 375 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | |
| SUM110P06-07L-E3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Part #IRFR4104TRPBFTwicea Part #3717-375-IRFR4104TRPBF | International Rectifier |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
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| 4600
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | - | through hole | - | - | YES | - | - | - | 2 | SILICON | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 42 A | - | - | 1.03 | - | INTERNATIONAL RECTIFIER CORP | - | - | - | max. ± 5 ppm/ year | - | - | - | - | - | ams-OSRAM USA INC. | - | - | - | 150 °C | - | miniature - U size | PLASTIC/EPOXY | LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Transferred | TO-252AA | - | - | Yes | - | - | temperature characteristic ± 30 ppm (-20…+70 °C) | - | - | - | 28.5*21*19/3000 | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel® | Power TOPLED® | - | e3 | Yes | Active | EAR99 | - | - | HC49 series quartz resonator | ESR max - 50 Ohm | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | - | - | - | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE | - | 20 pF | - | SINGLE | GULL WING | 260 | package - 10.2 max; full - 11.05 max mm | compliant | 2.4576 MHz | 30 | ± 20 (at T=25 °C) ppm | - | 3 | - | - | R-PSSO-G2 | - | - | Not Qualified | - | - | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | ≥500 (at Uis.dc=100 V) MOhm | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | DRAIN | - | - | - | - | SWITCHING | - | - | - | - | - | - | - | - | N-CHANNEL | -20 …+70 °C | - | - | - | TO-252AA | - | - | - | - | - | - | 0.0055 Ω | - | 480 A | 40 V | - | 145 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 140 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | 13.2 (package) mm | - | package - 3.7 max; full - 4.65 max mm | - | |
| IRFR4104TRPBF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #MMPQ2222ATwicea Part #318-375-MMPQ2222A | Freescale Semiconductor |
TRANSISTOR,BJT,ARRAY,INDEPENDENT,NPN,40V V(BR)CEO,500MA I(C),SO
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| 950
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 8-PowerTDFN | YES | DFN5060 | 100% polyamide | - | - | - | - | - | - | - | - | - | length - 150 mm; width - 12 mm; color green | - | - | - | - | 4.5V, 10V | - | 78.50 | - | MOTOROLA SEMICONDUCTOR PRODUCTS | - | - | - | - | 35 mm | - | - | - | - | Micro Commercial Co | - | - | - | 150 °C | - | - | - | , | - | - | Obsolete | - | 104W (Tj) | assembly and fastening of cable harnesses, cables | No | - | - | - | - | - | - | 50*34*45/100 | - | - | - | - | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel® | - | - | - | - | Active | - | - | - | Hook-and-loop tape 150x12 mm | - | - | green | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N-Channel | - | 1.1mOhm @ 50A, 10V | 2.5V @ 250µA | 6315 pF @ 15 V | 114 nC @ 10 V | - | - | 30 V | ±20V | NPN | –20…+100 °C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 240A (Tc) | - | 0.5 A | 100 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | reinstallation possibility | - | - | 150 mm | 12 mm | - | |
| MMPQ2222A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #SUD50P06-15L-E3Twicea Part #534-375-SUD50P06-15L-E3 | Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Datasheet
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| 8000
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | 16 Weeks, 4 Days | - | - | - | YES | - | - | - | 2 | SILICON | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | 15 inches | 50 A | - | - | 500.00 | - | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | - | 1 million touches | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 175 °C | - | - | PLASTIC/EPOXY | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Active | - | - | - | Yes | - | >3H | - | - | >75% | - | 61.5*42*44/5 | - | - | - | 60 g -150 g | -20°C - 65°C | -40°C ~ 60°C | Box | R-GAGE® K50R | - | e3 | - | Active | EAR99 | - | - | - | X:360Ω-880 Ω Y:200 Ω-500 Ω | Matte Tin (Sn) - annealed | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | GULL WING | 260 | - | compliant | - | 30 | - | - | - | - | - | R-PSSO-G2 | - | - | Not Qualified | - | - | - | NPN, PNP | 10 V | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | DRAIN | <10 milliseconds | - | - | - | SWITCHING | - | - | - | - | - | - | - | - | P-CHANNEL | - | - | - | - | TO-252 | - | Radar Sensor | - | - | <1.5% | - | 0.015 Ω | - | 80 A | 60 V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 136 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | 247 mm | - | 322 mm | - | |
| SUD50P06-15L-E3 |
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