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- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
| Image | Part # | Manufacturer | Description | Availability | Pricing | Quantity | Surface Mount | Number of Terminals | Transistor Element Material | Base Product Number | Brand | Case Code - in | Case Code - mm | Drain Current-Max (ID) | Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Maximum Operating Temperature | Mfr | Minimum Operating Temperature | Moisture Sensitivity Levels | Mounting Styles | Number of Elements | Operating Temperature-Max | Package | Package Body Material | Package Description | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Product Status | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Turn-off Time-Max (toff) | Turn-on Time-Max (ton) | Voltage, Rating | Packaging | Series | Tolerance | JESD-609 Code | Pbfree Code | ECCN Code | Temperature Coefficient | Resistance | Terminal Finish | Applications | Additional Feature | Subcategory | Power Rating | Technology | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Pin Count | Termination Style | JESD-30 Code | Qualification Status | Configuration | Note | Operating Mode | Case Connection | Transistor Application | Polarity/Channel Type | Product Type | JEDEC-95 Code | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Drain-source On Resistance-Max | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | DS Breakdown Voltage-Min | Avalanche Energy Rating (Eas) | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Power | Power Dissipation Ambient-Max | Features | Product Category | Height | Length | Width |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. Part #IRF9540Twicea Part #700-369-IRF9540 | Samsung |
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin (3 Tab) TO-220AB
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | NO | 3 | SILICON | - | - | - | - | 19 A | - | VISHAY SILICONIX | Vishay Siliconix | IRF9540 | - | - | - | - | - | 1 | 175 °C | - | PLASTIC/EPOXY | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Transferred | TO-220AB | - | NOT SPECIFIED | 5.07 | - | No | - | - | - | - | - | - | e0 | - | EAR99 | - | - | TIN LEAD | - | AVALANCHE RATED | - | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | NOT SPECIFIED | compliant | 3 | - | R-PSFM-T3 | Not Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SWITCHING | P-CHANNEL | - | TO-220AB | - | 0.2 Ω | 72 A | 100 V | 640 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRF9540 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRFP151Twicea Part #700-369-IRFP151 | Samsung |
40 A 60 V 0.055 Ohm N-channel Si Power Mosfet
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | DIG20 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 80 W | - | - | - | - | - | - | ||
| IRFP151 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRLW530ATMTwicea Part #700-369-IRLW530ATM | Samsung |
-
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRLW530ATM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #2N7000TATwicea Part #700-369-2N7000TA | Samsung |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2N7000TA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRFR9220TRTwicea Part #700-369-IRFR9220TR | Samsung |
-
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRFR9220TR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRF9610Twicea Part #700-369-IRF9610 | Samsung |
1.8A, 200V, 3.00 Ohm, P-Channel Power MOSFET in TO-220
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | NO | 3 | SILICON | - | - | - | - | 1.8 A | - | VISHAY SILICONIX | Vishay Siliconix | IRF9610 | - | - | - | - | - | 1 | 150 °C | - | PLASTIC/EPOXY | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Transferred | TO-220AB | - | NOT SPECIFIED | 5.21 | - | No | - | - | - | - | - | - | e0 | - | EAR99 | - | - | TIN LEAD | - | - | - | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | NOT SPECIFIED | compliant | 3 | - | R-PSFM-T3 | Not Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SWITCHING | P-CHANNEL | - | TO-220AB | - | 3 Ω | 7 A | 200 V | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRF9610 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRFS740Twicea Part #700-369-IRFS740 | Samsung |
-
Datasheet
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| 2880
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | NO | 3 | SILICON | - | - | - | - | 5.4 A | - | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC | Samsung Semiconductor | IRFS740 | - | - | - | - | - | 1 | 150 °C | - | PLASTIC/EPOXY | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Obsolete | SFM | - | - | 5.71 | - | - | 111 ns | 62 ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | FET General Purpose Power | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | - | unknown | 3 | - | R-PSFM-T3 | Not Qualified | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | ISOLATED | SWITCHING | N-CHANNEL | - | TO-220AB | 5.5 A | 0.55 Ω | 40 A | 400 V | 157 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 40 W | - | 40 W | - | - | - | - | - | |
| IRFS740 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRF9530Twicea Part #700-369-IRF9530 | Samsung |
French Electronic Distributor since 1988
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRF9530 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRF320Twicea Part #700-369-IRF320 | Samsung |
-
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRF320 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRFP9140Twicea Part #700-369-IRFP9140 | Samsung |
-
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRFP9140 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRL520Twicea Part #700-369-IRL520 | Samsung |
-
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Royalohm | 2512 | 6432 | - | 4000 | - | Royalohm | - | + 155 C | - | - 55 C | - | PCB Mount | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Details | - | - | - | 200 V | Reel | General Purpose Thick Film | 1 % | - | - | - | 100 PPM / C | 174 Ohms | - | General Purpose | - | Resistors | 1 W | Thick Film | - | - | - | - | - | SMD/SMT | - | - | - | - | - | - | - | - | Thick Film Resistors | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Wrap-Around Termination | Thick Film Resistors - SMD | 0.55 mm | 6.35 mm | 3.2 mm | ||
| IRL520 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRF743Twicea Part #700-369-IRF743 | Samsung |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | NO | 3 | SILICON | - | - | - | - | 8 A | - | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | Rochester Electronics LLC | IRF743 | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | 1 | - | - | PLASTIC/EPOXY | - | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Active | - | - | NOT SPECIFIED | 5.07 | Yes | No | - | - | - | - | - | - | e0 | No | - | - | - | TIN LEAD | - | - | - | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | NOT SPECIFIED | unknown | - | - | R-PSFM-T3 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | ENHANCEMENT MODE | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | - | TO-220AB | - | 0.8 Ω | 33 A | 350 V | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRF743 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRF830Twicea Part #700-369-IRF830 | Samsung |
French Electronic Distributor since 1988
Datasheet
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| 437
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| IRF830 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRF630Twicea Part #700-369-IRF630 | Samsung |
Transistor NPN Field Effect IRF630 SAMSUNG Ampere=9 V=200 TO220
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Corsair | - | - | - | - | - | Bag | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | Non-Compliant | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRF630 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRF9Z10Twicea Part #700-369-IRF9Z10 | Samsung |
-
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 050420 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Molex | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRF9Z10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRFW740ATMTwicea Part #700-369-IRFW740ATM | Samsung |
-
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | Fairchild Semiconductor Corporation | IRFW740ATM | - | - | - | - | - | - | 150 °C | - | - | , | - | - | Obsolete | - | - | - | 5.92 | - | No | - | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | FET General Purpose Power | - | - | - | - | - | unknown | - | - | - | - | Single | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | N-CHANNEL | - | - | 10 A | - | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 3.1 W | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRFW740ATM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRFZ30Twicea Part #700-369-IRFZ30 | Samsung |
-
Datasheet
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| 53
In Stock
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| IRFZ30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRFZ34Twicea Part #700-369-IRFZ34 | Samsung |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Trans
Datasheet
Compare
| Min.:1 Mult.:1 | NO | 3 | SILICON | - | - | - | - | 30 A | - | VISHAY SILICONIX | Vishay Siliconix | IRFZ34 | - | - | - | - | - | 1 | 175 °C | - | PLASTIC/EPOXY | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Transferred | TO-220AB | - | 30 | 5.05 | - | No | - | - | - | - | - | - | e0 | No | EAR99 | - | - | TIN LEAD | - | - | - | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | 240 | unknown | 3 | - | R-PSFM-T3 | Not Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | ENHANCEMENT MODE | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | - | TO-220AB | - | 0.05 Ω | 120 A | 60 V | 200 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRFZ34 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Part #IRF610Twicea Part #700-369-IRF610 | Samsung |
3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET in TO-220
Datasheet
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| Min.:1 Mult.:1 | NO | 3 | SILICON | - | - | - | - | 3.3 A | - | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | Rochester Electronics LLC | IRF610 | - | - | - | - | - | 1 | - | - | PLASTIC/EPOXY | - | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Active | - | - | - | 5.03 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | - | unknown | - | - | R-PSFM-T3 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | ENHANCEMENT MODE | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | - | TO-220AB | - | 1.5 Ω | 8 A | 200 V | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRF610 |
Index :
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